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影響介質(zhì)損耗因數(shù)測量結(jié)果的因素

文章編輯:赫茲電力 發(fā)表時間:2020-06-17

影響介質(zhì)損耗因數(shù)測量結(jié)果的因素有如下幾點(diǎn):  


(1)溫度的影響。溫度對tanδ有直接影響,其程度隨絕緣材料、設(shè)備結(jié)構(gòu)的不同而異。一般情況下,tanδ隨溫度升高而增大,為了便于比較,應(yīng)將不同溫度下測得的tanδ值換算至20℃,再進(jìn)行比較。  


油浸式電力變壓器的溫度換算公式為:  

tanδ2=tanδ1×1.3(t1-t2)/10  

公式中,tanδ1 、tanδ2分別為t1、t2時的tanδ值。  

由于被試品的真實(shí)平均溫度很難測準(zhǔn),對換算結(jié)果的正確性收到影響。因此,應(yīng)盡可能在10-30℃溫度下進(jìn)行測量,最好每次在相近溫度下測量。  

受潮的絕緣材料在0℃以下時水分會凍結(jié),tanδ會降低。因此,過低溫度下測得的tanδ不能反映真實(shí)的絕緣狀況,故測量tanδ的溫度不應(yīng)低于5℃。  


(2)試驗(yàn)電壓的影響。良好絕緣的tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若內(nèi)部有缺陷,則其tanδ將隨試驗(yàn)電壓的升高而明顯增加。  


(3)Tanδ與試品電容的關(guān)系。對電容量較小的設(shè)備(如套管、互感器、耦合電容器等),測量tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性的缺陷。但對電容量較大的設(shè)備(如大、中型變壓器等),測量tanδ只能發(fā)現(xiàn)絕緣的整體分布性缺陷,因?yàn)榫植考行缘娜毕菟鸬膿p壞增加只占總損耗的極小部分,容易被掩蓋,設(shè)備絕緣結(jié)構(gòu)總是由許多部件構(gòu)成并包含多種材料,可以看成是由許多串、并聯(lián)等值回路組成。  


全自動抗干擾介質(zhì)損測試儀是赫茲電力產(chǎn)品研發(fā)部參照最新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)以及電力試驗(yàn)規(guī)程規(guī)范研發(fā)生產(chǎn)的高精度介質(zhì)損耗測試儀。采用了最新的變頻技術(shù),濾掉了工頻現(xiàn)場產(chǎn)生的干擾,保證儀器在強(qiáng)電場干擾下準(zhǔn)確測量。采用了高壓升壓變壓器,完善的過零合閘、防雷擊等安全保護(hù)措施,試驗(yàn)過程中輸出0.5KV~10kV不同等級的高壓,使用過程中操作簡單、安全。適用于發(fā)電廠、變電、互感器制造廠家以及電力檢修部門。 

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